佳能发布i线光刻机“FPA-5520iV HR Option” ——分辨率达0.8微米，可对应先进封装的后道工序

       佳能公司宣布将于2018年12月下旬发布针对半导体曝光设备后道工序的i线光刻机^※1「FPA-5520iV」系列的高分辨率新产品“FPA-5520iV HR Option”，强化FOWLP^※2功能，并进一步提升生产效率。

       FOWLP功能的半导体曝光设备市场正在扩大。在FOWLP封装技术市场中，对高密度布线的需求高，进而提高了对分辨率的要求。

       新产品在继承了“FPA-5520iV”（2016年7月上市）的强大FOWLP功能及高生产效率等基本性能的同时，进一步提高了分辨率，达0.8微米^※3。

实现分辨率0.8微米
       “FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率，而在“FPA-5520iV HR Option”中采用了全新投射光学系统，使针对封装的光刻机可以实现分辨率0.8微米的微细图形加工，达到业界高水平^※4。由此，半导体芯片可更小，而且能够增加信息处理量，提升处理速度。

继承“FPA-5520iV”的基本性能
       新产品同时也继承了“FPA-5520iV”已实现的多个基本性能。如可以灵活应对再构成基板^※5变形等FOWLP技术中的量产问题，以及在芯片排列偏差较大的再构成基板上检测校准标记、从而提高生产效率等性能。

       佳能未来将继续提供针对半导体曝光设备的多种解决方案和升级选项等，来满足市场需求。

       ※1 使用水银灯波长为365纳米光源的半导体曝光设备。1纳米是10亿分之一米。
       ※2 Fan Out Wafer Level Package的简写。封装技术的一种。有可以应对无基板、封装面积比芯片大且引脚较多的封装等优势。
       ※3 1微米是100万分之一米。（= 1000分之一毫米）
       ※4 将从半导体光刻机前道工序中制造的晶元中取出多个半导体芯片原件并排列，用树脂固定成晶元形状的基板。
       ※5 用来校准曝光设备在基板上的位置。通过观察和测量多个标记，精密把握曝光装置的位置。
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       ＜半导体曝光设备的市场动向＞
       通过微型化实现高度集成的半导体元件制造工艺暂时处于停滞状态。作为微型化以外的高度集成方法之一，提高封装布线密度的方案被提出。其中，FOWLP作为较有力的技术受到广泛关注，伴随后道工序制造厂商量产化趋势逐渐兴起的同时，FOWLP的RDL^※微型化也得到了发展。

       ※ Redistribution Layer的简写。从芯片上的高密度的端点到封装间布线的层。

＜主要商品规格＞

光罩尺寸		外形：6英寸（152.4mm）、厚度：0.25 英寸（6.35mm）
晶元尺寸		直径300mm
投影镜头	倍率	1／2
	分辨率	0.8μm
	画面Size	52×34mm
重合精度		≦0.15μm（m＋3σ）
吞吐量		≧125 枚／时 （42shots条件／曝光量 1000J/m2 时）
		≧ 53 枚／时 （60shots条件／曝光量 10000J/m2 时）